Síntesis química en fase de vapor de nitruro de boro

En 1979, Sokolowski utilizó con éxito la tecnología de plasma pulsado para preparar películas de nitruro de boro cúbico (CBN) a baja temperatura y baja presión. El equipo utilizado es simple y el proceso es fácil de realizar, por lo que se ha desarrollado rápidamente. Han surgido una variedad de métodos de deposición de vapor. Hablando tradicionalmente, se refiere principalmente a la deposición de vapor químico térmico. El dispositivo experimental generalmente se compone de un tubo de cuarzo resistente al calor y un dispositivo de calentamiento. El sustrato se puede calentar mediante un horno de calentamiento (CVD de pared caliente) o calentamiento por inducción de alta frecuencia (CVD de pared fría). El gas de reacción se descompone en la superficie del sustrato a alta temperatura y, al mismo tiempo, se produce una reacción química para depositar una película. El gas de reacción es una mezcla de gas BCl.₃ o B₂H₄y NH₃.